影響微弧氧化的因素有哪些？下面小編為大家介紹一下。

1. 合金材料及表面狀態(tài)的影響：微弧氧化技術(shù)對(duì)鋁基工件的合金成分要求不高。對(duì)于一些普通的陽(yáng)極氧化鋁合金材料，如銅和高硅鑄鋁合金，可以進(jìn)行微弧氧化。對(duì)工件表面狀態(tài)要求不高，一般不需要表面拋光。對(duì)于粗糙度較高的工件，微弧氧化后表面修復(fù)變得更加均勻光滑；對(duì)于粗糙度較低的工件，微弧氧化后表面粗糙度增加。

2. 電解質(zhì)溶液及其成分的影響：獲得合格膜層的技術(shù)關(guān)鍵是微弧氧化電解液。電解液成分和氧化工藝參數(shù)不同，膜層的性質(zhì)也不同。微弧氧化電解液多采用含有一定金屬或非金屬氧化物的堿性鹽溶液(如硅酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽等)。)，其在溶液中的存在形式最好是膠體狀態(tài)。溶液的 pH 范圍一般在9~13之間。一些有機(jī)或無(wú)機(jī)鹽可以作為輔助添加劑添加，根據(jù)膜的性質(zhì)。在相同的微弧電解電壓下，電解質(zhì)濃度越大，成膜速度越快，溶液溫度上升越慢，相反，成膜速度越慢，溶液溫度上升越快。

3. 氧化電壓和電流密度的影響：控制微弧氧化電壓和電流密度對(duì)于獲得合格的膜層也至關(guān)重要。不同的鋁基材料和不同的氧化電解質(zhì)具有不同的微弧放電擊穿電壓（擊穿電壓：工件表面剛剛產(chǎn)生微弧放電電解電壓），微弧氧化電壓一般控制在幾十到幾百伏以上。根據(jù)膜性能的要求和不同的工藝條件，微弧氧化電壓可為200~600V 范圍內(nèi)的變化。微弧氧化可采用控制電壓法或電流法進(jìn)行。當(dāng)控制電壓進(jìn)行微弧氧化時(shí)，電壓值一般分段控制，即在一定的陽(yáng)極電壓下形成一定厚度的絕緣氧化膜，然后將電壓增加到一定的微弧氧化值。當(dāng)微弧氧化電壓剛剛達(dá)到控制值時(shí)，通過(guò)的氧化電流一般較大，可以達(dá)到 10A/dm2 左右，隨著氧化時(shí)間的延長(zhǎng)，陶瓷氧化膜不斷形成和改進(jìn)，氧化電流逐漸減少，最終小于 1A/dm2。氧化電壓波形對(duì)膜性能有一定影響，可采用直流、鋸齒或方波等電壓波形?？刂齐娏鞣ǖ碾娏髅芏纫话銥?~8A/dm2。當(dāng)控制電流氧化時(shí)，氧化電壓開(kāi)始迅速上升，達(dá)到蘇州納盤新材料科技隨著膜的形成，氧化電壓迅速上升，最終保持在較高的電解電壓下。

4. 溫度與攪拌的影響：與傳統(tǒng)的鋁陽(yáng)極氧化不同，微弧氧化電解質(zhì)的溫度允許范圍較寬，可達(dá)10~90℃在條件下進(jìn)行。溫度越高，工件和溶液界面的水氣化越強(qiáng)，膜的形成越快，但粗糙度也越高。同時(shí)，溫度越高，電解質(zhì)蒸發(fā)越快，微弧氧化電解質(zhì)的溫度一般控制在 20～60℃范圍。由于微弧氧化的大部分能量以熱能的形式釋放，氧化液的溫度上升速度快于傳統(tǒng)的鋁陽(yáng)極氧化，因此微弧氧化過(guò)程必須配備大容量的熱交換制冷系統(tǒng)來(lái)控制罐液的溫度。雖然微弧氧化工件表面有大量氣體沉淀，對(duì)電解質(zhì)有一定的攪拌作用，但一般配備以確保氧化溫度和系統(tǒng)成分的均勻性機(jī)械攪拌電解液的裝置或壓縮空氣。

5. 微弧氧化時(shí)間的影響：微弧氧化時(shí)間一般控制 10～60min。氧化時(shí)間越長(zhǎng)，膜的致密性越好，但粗糙度也越高。

6. 陰極材料：微弧氧化陰極材料采用不溶性金屬材料。由于微弧氧化電解質(zhì)多為堿性液體，碳鋼、不銹鋼或鎳可用于陰極材料。懸掛或上述材料制成的電解槽可用作陰極。

7. 膜層后處理：鋁基工件經(jīng)微弧氧化后可直接使用，也可封閉氧化膜、電泳涂料、機(jī)械拋光等，進(jìn)一步提高膜的性能。