微弧氧化（MAO）也叫等離子體電解氧化（PEO）、微等離子體氧化、陽極火花沉積、火花陽極氧化等。20世紀(jì)30年代，德國工程師率先報(bào)道了微弧放電現(xiàn)象。20世紀(jì)50年代，美國軍工廠開始研究陽極火花技術(shù)。20世紀(jì)90年代，荷蘭、法國、葡萄牙、日本等更多國家也開始進(jìn)入微弧氧化的研究行列，俄羅斯的研究水平一直處于世界領(lǐng)先地位。雖然中國從20世紀(jì)90年代中期開始關(guān)注微弧氧化技術(shù)，但在成膜機(jī)制、微弧氧化電源研發(fā)、工藝參數(shù)和電解質(zhì)參數(shù)方面也取得了很大進(jìn)展。
微弧氧化的優(yōu)點(diǎn)
微弧氧化技術(shù)及微弧氧化陶瓷層具有以下特點(diǎn)：
(1) 孔隙率低，提高了陶瓷層的耐腐蝕性；
(2) 陶瓷層硬度高，耐磨性好；
(3) 陶瓷層在基體原位生長，膜層與基體緊密結(jié)合，不易脫落；
(4) 通過改變工藝條件，可以輕松調(diào)整陶瓷層的微結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)，獲得新的微結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)陶瓷層的功能設(shè)計(jì)；
(5) 陶瓷層厚度易于控制，提高了微弧氧化的可操作性；
(6) 處理效率高：50μm陶瓷層微弧氧化只需10-30min；
(7) 操作簡(jiǎn)單，無真空或低溫條件，預(yù)處理工藝少，性價(jià)比高，適合自動(dòng)化生產(chǎn)；
(8) 除鋁和鎂合金外，對(duì)材料適應(yīng)性廣，還可以使用Ti、Zr、Ta、Nb陶瓷層生長在金屬及其合金表面；
(9) 微弧氧化技術(shù)對(duì)環(huán)境污染小，被稱為清潔工藝。
