一般來說，影響鈦合金微弧氧化的因素有很多，如液體成分對氧化的影響：電解質成分是獲得合格膜層的關鍵因素。鈦合金微弧氧化液一般選擇含有一定金屬或非金屬氧化物的堿性鹽溶液，如硅酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽等。
1.在相同的微弧電解電壓下，電解質濃度越大，成膜速度越快，溶液溫度上升越慢，相反，成膜速度越慢，溶液溫度上升越快。
2.溫度對微弧氧化的影響：微弧氧化不同于陽極氧化，所需的溫度范圍較寬。一般為10-90度。溫度越高，膜就越快，但粗糙度也會增加。高溫會形成水和氣體。一般建議在20-60度。由于微弧氧化以熱能的形式釋放，液體溫度迅速上升，微弧氧化過程必須配備大容量的熱交換制冷系統(tǒng)來控制罐液體溫度。
3.時間對微弧氧化的影響：微弧氧化時間一般控制在10~60min。氧化時間越長，膜的致密性越好，但粗糙度也越高。
4.陰極材料：陰極材料可選用不銹鋼、碳鋼、鎳等。
5.后處理對微弧氧化的影響：微弧氧化后，工件可直接使用，也可封閉、電泳、拋光等后續(xù)處理。
三項通常用于微弧氧化380V可選擇電壓、槽體PP、PVC其他材料，外套不銹鋼加固。可添加冷卻設施或冷卻內膽。吊具可由鋁合金制成，陰極材料可由不溶性金屬或不銹鋼制成。氧化液應控制密度、工作電壓、電流密度和液體的pH值（PH通常為8--13)，微弧氧化時間一般在10---60分鐘(時間越長，膜層越致密，但粗超會增加)。工藝為：去油-洗滌-微弧氧化-純洗滌-封閉。
