一般來(lái)說(shuō)，傳統(tǒng)的鎂合金微弧氧化膜首先在基體表面形成致密的內(nèi)層結(jié)構(gòu)，隨著氧化過(guò)程的不斷增長(zhǎng)，致密內(nèi)層的厚度不斷增長(zhǎng)，逐漸形成松散多孔的外層結(jié)構(gòu)。此外，在微弧氧化的整個(gè)過(guò)程中，火花的放電直徑00μm以上是氧化膜外層松散層形成的原因之一。如果氧化膜可視為性能良好的電容器，充電電容器越大，介電擊穿的可能性就越大。
交變電壓可使電容器極板之間的絕緣介質(zhì)破壞成導(dǎo)體，釋放能量，形成沖擊放電。因此，如果致密膜在沖擊放電的持續(xù)作用下，膜層會(huì)產(chǎn)生局部缺陷，缺陷處的電容和電導(dǎo)率會(huì)顯著增加，導(dǎo)致局部微區(qū)放電集中，電流更大。因此，膜層更容易被介電擊穿和損壞。此外，如此大的殘余能量將集中在缺陷大的微區(qū)域或大的放電通道中，導(dǎo)致持續(xù)強(qiáng)度不穩(wěn)定的火花放電，導(dǎo)致火山噴發(fā)效應(yīng)，導(dǎo)致放電孔粗大，晶體相晶粒生長(zhǎng)異常粗大，呈火山口結(jié)構(gòu)、微裂紋、氣孔等缺陷，破壞氧化膜表面結(jié)構(gòu)的致密性和均勻性。因此，如何突破傳統(tǒng)的鎂合金微弧氧化控制過(guò)程，實(shí)現(xiàn)鎂合金微弧氧化膜微結(jié)構(gòu)的致密和精細(xì)控制，已成為鎂合金微弧氧化過(guò)程未來(lái)的發(fā)展方向。
鎂合金超微弧氧化雙脈沖控制過(guò)程[1-3]通過(guò)調(diào)整脈沖頻率，等離子體的放電火花比傳統(tǒng)的微弧氧化火花更細(xì)、分布更均勻，革命性地改變了傳統(tǒng)的微弧氧化火花放電機(jī)制：逐漸抑制或消除大缺陷或局部集中沖擊放電，改變了上述傳統(tǒng)微弧氧化過(guò)程等離子體放電的固有特征，實(shí)現(xiàn)了對(duì)超微弧氧化膜微結(jié)構(gòu)的精細(xì)控制。
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