1958年，美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了第一個(gè)工業(yè)級(jí)的一般可控硅，極大地拓展了半導(dǎo)體材料器件輸出功率操縱的范疇，進(jìn)而使電磁能的轉(zhuǎn)換和操縱從轉(zhuǎn)動(dòng)的變流器發(fā)電機(jī)組、靜止不動(dòng)的正離子并網(wǎng)逆變器進(jìn)到到以電力工程半導(dǎo)體材料器件組成的變流器時(shí)期，它意味著電力電子技術(shù)時(shí)期的來臨。可控硅歸屬于半控型的器件，不可以自關(guān)閉，它歸屬于第一代電力電子技術(shù)器件。因?yàn)殡娏﹄娮蛹夹g(shù)器件具備體型小、功能損耗低、響應(yīng)時(shí)間快等特性，因此自它問世至今就得到 了迅速的發(fā)展趨勢(shì)。發(fā)生了小輸出功率的可關(guān)閉可控硅(GTO)歸屬于全控型器件，它和電力工程晶體三極管(GTR)、電子器件場(chǎng)晶體三極管(MOSFET )等，被稱作第二代電力電子技術(shù)器件。20新世紀(jì)80時(shí)代中后期，發(fā)生了以絕緣層?xùn)艍弘p極型晶體三極管(IGBT)為意味著的復(fù)合性器件，它是用MOSFET推動(dòng)雙極型晶體三極管，兼具M(jìn)OSFET的高輸入電阻和GTR的低導(dǎo)通特性阻抗與一身，被覺得是最有發(fā)展前途的第三代電力電子技術(shù)器件。與此同時(shí)數(shù)據(jù)控制系統(tǒng)也獲得快速發(fā)展趨勢(shì)，電力技術(shù)與控制系統(tǒng)的融合推動(dòng)了電源的發(fā)展趨勢(shì)，相對(duì)性于計(jì)算機(jī)控制，仿真模擬操縱有下列缺陷:
1、仿真模擬控制回路的元器件較多，微弧氧化電源容積很大。
2、協(xié)調(diào)能力不足，一旦電路原理進(jìn)行，控制方法就沒法變更。
3、最關(guān)鍵的是，微弧氧化電源不有利于調(diào)節(jié)，主要參數(shù)不一致，因?yàn)樗鶓?yīng)用的器件分別的特點(diǎn)差別、主要參數(shù)不一致，導(dǎo)致各電源中間存有很大的特點(diǎn)差別，微弧氧化電源的一致性不太好。較為下選用微處理器、DSPCPU的電源，操縱便捷靈便。能夠很便捷運(yùn)用改變系統(tǒng)而更改控制方法。與此同時(shí)微弧氧化電源高精度，很多的降低了操縱器件，使微弧氧化電源容積大幅減少。數(shù)字電路設(shè)計(jì)的可靠性好，因此那樣也就提升了微弧氧化電源的可靠性和一致性。
