真空離子鍍膜機器設(shè)備始于二十世紀六十年代D.M.Mattox明確提出的基礎(chǔ)理論，且在那時候逐漸擁有相匹配的試驗；直至1971年，Chamber等發(fā)布離子束離子鍍膜技術(shù)性；而反映蒸鍍（ARE）技術(shù)性則是在1972年的Bunshah匯報所強調(diào)，這時造成了TiC及TiN等超硬質(zhì)的的塑料薄膜種類；一樣是在1972年，Smith和Moley在鍍膜加工工藝中選用了中空負極技術(shù)性。到二十世紀八十年代，在我國離子鍍總算做到工業(yè)生產(chǎn)運用的水平，陸續(xù)發(fā)生了真空多弧離子鍍及電孤充放電型離子鍍等鍍膜加工工藝。
真空離子鍍的全部工作中全過程是：最先先將真空室抽真空，待至真空消耗和環(huán)境壓力抽至4X10?3Pa以上，必須 把直流高壓電源接入，在基材與空調(diào)蒸發(fā)器間搭建一個低電壓充放電汽體的等離子超低溫地區(qū)。用5000V直流電負髙壓聯(lián)接基材電級，進而產(chǎn)生負極的電弧放電。稀有氣體離子是在負輝光區(qū)周邊造成的，其進到負極陰影被靜電場加快并對基材表層開展負電子，這是一個清理全過程，以后就進到鍍膜全過程，根據(jù)負電子加溫的功效，汽化一些鍍料，等離子區(qū)域內(nèi)進到分子，與電子器件及稀有氣體離子造成撞擊，也是有一小部分產(chǎn)生離化，針對這種離化后的離子有著高效率能量會對塑料薄膜表層開展負電子，一定水平上面改進膜層品質(zhì)。
真空離子鍍的基本原理是：在真空室中，運用汽體的充放電狀況或揮發(fā)化學(xué)物質(zhì)的離化一部分，在揮發(fā)化學(xué)物質(zhì)離子或汽體離子的負電子功效下，與此同時堆積這種揮發(fā)物或其生成物在基材上獲得塑料薄膜。
?真空離子鍍膜機器設(shè)備把真空揮發(fā)、等離子體技術(shù)性與汽體電弧放電這三項技術(shù)性融合起來，不單單是使膜層品質(zhì)顯著改善了，并且還讓塑料薄膜運用范疇擴張了。該加工工藝的優(yōu)勢是繞射性強、塑料薄膜粘合力好、可鍍膜材多種多樣等。離子鍍基本原理是由D.M.Mattox初次明確提出的，離子鍍有很多類型，比較普遍的是揮發(fā)加溫方法這一類，有電阻絲加熱、離子束加溫、等離子離子束加溫、高頻率電磁感應(yīng)加熱等各種各樣加溫方法的離子鍍膜設(shè)備。
