(1) 孔隙率低，從而提高了陶瓷層的耐腐蝕能力； (2)含高溫轉(zhuǎn)變相，使陶瓷層硬度高、耐磨性好；
(3) 陶瓷層在基體原位生長(zhǎng)，膜層與基體結(jié)合緊密，不易脫落；
(4) 通過(guò)改變工藝條件，可以很方便地調(diào)整陶瓷層的微觀結(jié)構(gòu)、特征和獲得新的微觀結(jié)構(gòu)，從而可實(shí)現(xiàn)陶瓷層的功能設(shè)計(jì)；
(5) 能在試件內(nèi)外表面生成均勻陶瓷層，擴(kuò)大了微弧氧化的適用范圍； (6)陶瓷層厚度易于控制，提高了微弧氧化的可操作性；
(7) 處理效率高：一般陽(yáng)極氧化獲得 50μm 左右的陶瓷層需要 1～2h，而微弧氧化只需 10～30min；
(8) 操作簡(jiǎn)單，不需真空或低溫條件，前處理工序少，性能價(jià)格比高，適宜于自動(dòng)化生產(chǎn)；
(9) 對(duì)材料的適應(yīng)性寬，除鋁、鎂合金外，還能在 Ti、Zr、Ta、Nb 等金屬及其合金表面生長(zhǎng)陶瓷層；
（10）微弧氧化技術(shù)還具有工藝簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境污染小，具有清潔工藝之稱。
