(1) 陽極氧化階段：將樣品置于一定的電解液中，通電加壓后，樣品表面和陰極表面出現(xiàn)無數(shù)細(xì)小均勻的白色氣泡，而且隨電壓增加，氣泡逐漸變大變密， 生成速度也不斷加快。在達(dá)到擊穿電壓之前，這種現(xiàn)象一直存在，這一階段就是陽極氧化階段。在該階段，電壓上升很快，但電流變化很小。電壓較低時，樣品表面形成一層很薄的氧化膜；但隨著電壓的升高，氧化膜的溶解速度也變快，有時甚至?xí)共糠只w溶解，所以應(yīng)盡量縮短陽極氧化階段。
(2) 火花放電階段：當(dāng)施加到樣品的電壓達(dá)到擊穿電壓時，樣品表面開始出現(xiàn)無數(shù)細(xì)小、亮度較低的火花點(diǎn)。這些火花點(diǎn)密度不高，無爆鳴聲，這一階段屬于火花放電階段。在該階段，樣品表面開始形成不連續(xù)的微弧氧化膜，但膜層生長速率很小，硬度和致密度較低，所以對最終形成的膜層貢獻(xiàn)不大，也應(yīng)盡量減少這一階段的時間。
（3）微弧氧化階段：進(jìn)入火花放電階段后，隨著電壓繼續(xù)增加，火花逐漸變大變亮，密度增加。隨后，樣品表面開始均勻地出現(xiàn)放電弧斑?；“咻^大、密度較高，隨電流密度的增加而變亮，并伴有強(qiáng)烈的爆鳴聲，此時進(jìn)入微弧氧化階段?；鸹ǚ烹婋A段與微弧氧化階段緊密銜接，兩者很難明確劃分。在微弧氧化階段， 隨時間的延長，樣品表面細(xì)小密集的弧斑逐漸變得大而稀疏，同時電壓緩慢上升， 電流逐漸下降，弧點(diǎn)較密集的階段，對氧化膜的生長最有利，膜層的大部分在此階段形成，弧點(diǎn)較稀疏的階段，對氧化膜的生長貢獻(xiàn)不大，但可以提高氧化膜的致密性并降低表面粗糙度。微弧氧化階段是形成陶瓷膜的主要階段，對氧化膜的最終厚度、膜層表面質(zhì)量和性能都起到?jīng)Q定性作用?？紤]到該階段在整個微弧氧化過程中的重要性，在保證膜層質(zhì)量的前提下，應(yīng)盡量延長該階段的作用時間。
（4）熄弧階段(或弧光放電階段)：微弧氧化階段末期，電壓達(dá)到最大值，氧化膜的生長將出現(xiàn)兩種趨勢。一種趨勢是樣品表面的弧點(diǎn)越來越稀疏并最終消失， 爆鳴聲停止，表面只有少量的細(xì)碎火花，這些火花最終會完全消失，微弧氧化過程也隨之結(jié)束。這一階段稱為熄弧階段。另一種趨勢是樣品表面的弧點(diǎn)幾乎完全消失，同時其它一個或幾個部位突然出現(xiàn)較大的弧斑，這些較大的弧斑光亮刺眼， 可以長時間保持不動，并且產(chǎn)生大量氣體，爆鳴聲增強(qiáng)，該階段稱為弧光放電階段。樣品表面發(fā)生弧光放電時，氧化膜會遭到破壞，基體也會出現(xiàn)燒蝕現(xiàn)象，因此弧光放電階段對于氧化膜的形成尤為不利，在實際操作中應(yīng)盡量避免該現(xiàn)象的發(fā)生。
